Материал для энергоэффективной электроники нового поколения создали в Петербурге

Кристаллы вырастили раствор-расплавным методом и впервые исследовали их магнитные характеристики. Оксид галлия с добавлением железа ученые рассматривают как перспективную альтернативу кремнию в силовой электронике.

Профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Камиль Гареев сообщил, что в образцах обнаружили признаки магнитного упорядочения при комнатной температуре.

Для развития спинтроники нужны полупроводники, в которых можно управлять электрическими и магнитными свойствами. Такие материалы могут применять для энергонезависимой и энергоэффективной памяти.

Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ имени Иоффе РАН Владимир Николаев заявил, что работа приблизила получение ферромагнитных свойств у оксида галлия. По его словам, в будущем материал может стать основой приборов для быстрой коммутации энергии в высоковольтных линиях и магнитного хранения данных на одном кристалле.

Источник: ТАСС